Ученые Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ», Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе РАН и Санкт-Петербургского государственного университета впервые синтезировали кристаллы оксида галлия, легированные железом, которые проявляют магнитные свойства при комнатной температуре. Это открывает путь к созданию новых видов сверхэффективной памяти для электронных устройств будущего, сообщили ТАСС в пресс-службе ЛЭТИ.
Источник: Unsplash
«Наша команда впервые вырастила раствор-расплавным методом монокристаллы оксида галлия, сильно легированные железом. В полученных кристаллах мы выявили признаки магнитного упорядочения при комнатной температуре», — привели в пресс-службе слова профессора кафедры микро- и наноэлектроники СПбГЭТУ «ЛЭТИ», старшего научного сотрудника лаборатории физики профилированных кристаллов ФТИ им. Иоффе РАН Камиля Гареева.
Уточняется, что для развития спинтроники необходимы полупроводники, позволяющие управлять как электрическими, так и магнитными свойствами. Такие материалы позволят создавать новые типы памяти, которые будут характеризоваться высокой энергонезависимостью и энергоэффективностью. Исследователи из ЛЭТИ, ФТИ им. Иоффе РАН и СПбГУ впервые изучили магнитные характеристики кристаллов оксида галлия, легированных железом, — перспективную замену кремния в силовой электронике.
«В нашей работе мы сделали шаг к тому, чтобы оксид галлия приобрел ферромагнитные свойства и в будущем мог стать основой для электронных приборов, действующих на принципах спинтроники, что позволит обеспечить быструю коммутацию энергии в линиях высокого напряжения, а также надежное магнитное хранение данных на одном кристалле», — рассказал заведующий лабораторией физики профилированных кристаллов ФТИ им. Иоффе РАН Владимир Николаев.
.png "Получай новости на почту. Подписаться")